トランジスタ回路/FET_Nch                 


FET_Nチャネルスイッチング 動作電子回路シミュレータLTspiceを利用し
シミュレーションします。

 1) Toolbarの回路図作成アイコンを使用し部品配置と結線を行います。
       NPN トランジスタのファイルを利用すると早いです。


 2) FET Q1の選択をします。Q1を右クリック/[Pick New Transistor] クリック


RohmRSR025N03を選択します。

 3) 回路電源の「POW」の設定を行います。



 4) 入力信号となる「SIG」の設定を行います。


 5) SimulateEdit Simulation Commandによりシミュレーションの設定を行います。


 6)  をクリックしますとグラフエリアが追加され、シミュレーションを開始します。
グラフエリアマウスポイントを置くとコマンドラインにが表れますので、
Add Plot Pane」にて、グラフ表示データの数だけグラフエリアを準備します。
グラフエリアをまず選択し、回路図上でプローブにてグラフ表示データを選択します。
選択したグラフエリアデータが表示されます。

I(R1)は回路図上で左→右に流れます。
電流プローブ方向が逆の場合は抵抗R1の左右を逆接続し直します。

 7) FET-ON時のV(SIG)電圧をカーソルを利用し読みます。



 8) FET-OFF時のV(SIG)電圧をカーソルを利用し読みます。



 9) 動作説明

a. R1:ゲート抵抗  R2:ゲートクランプ抵抗  R3:ドレイン電流ID制限抵抗
b. ゲート電圧Vgは、入力信号SIGの抵抗R1R2分圧で決まります。
c. 下図はNPNトランジスタ(右)との動作比較です。
   

ゲート電圧Vgが入力信号SIGとほぼ等しく、I(R1)がNPNトランジスタと比較して
約1/5と少ないのが対象的です。

d. 出力V(OUT)ON時のI(R1) I(R2)の関係をグラフ化してみます。

ゲート電流IGI(R1)−I(R2)から、FETOFFONになってもIGの変化は少なく、
また微小で電圧動作型であることを示しています。